CVD法によるオスミウム成膜技術
自社開発した成膜装置により、プラズマCVDにてスミウム薄膜処理を行っています。（日米特許取得済）
当社では、電子ビームの絞りであるアパーチャープレートに対してオスミウムコートを実施しております。電子顕微鏡のアパーチャープレートには、帯電防止のために白金などの貴金属が成膜されることがありますが、当社では、そのための成膜材料としてオスミウムを提案しております。
大和テクノシステムズのオスミウム成膜技術の特長
弊社では電子顕微鏡のアパーチャープレートにオスミウム成膜を行っております。
電子顕微鏡では、電子ビームが帯電現象が起こす場合があります。アパーチャープレートで帯電が起こると、電子ビームがうまく絞れず、狙った空間分解能が得られないことがあります。その対策として有効な方法に成膜処理がありますが、その一つがオスミウムです。白金の成膜は主にPVDで行われますが、オスミウムはCVDにより成膜を行います。
プラズマCVD法により成膜されるオスミウム膜は、10-20nmの薄膜であり、微細穴の内面まで均一に成膜することが可能です。またその融点は非常に高く（3045度）、熱ダメージにも強い特徴があります。成膜表面は均一で非常に滑らかであるため真空中での使用に適しております。
オスミウムは青灰色をした白金族の希少金属です。比重全元素の中でも最も大きい22.57で、融点は3045度、沸点は5000度を超えます。六方最密充填構造であるため、常温、常圧で安定します。
電気伝導度が11.4と希少金属の中では比較的よく、モース硬度は8と非常に硬い金属です。
オスミウム成膜の膜厚
| 膜厚 | 10-20nm |